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CAS RN: 135-48-8 | 製品コード: P2524

Pentacene (99.999%, trace metals basis) (purified by sublimation) [for organic electronics]


純度(試験方法):
別名:
  • ペンタセン (99.999%, trace metals basis) (昇華精製品) [有機エレクトロニクス用]
ドキュメント:
100MG
¥5,800
≥20  3   ≥20 
1G
¥31,500
18   7   ≥20 

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・納期に関するご質問につきましては営業部までお問い合わせください。 [本社営業部]Tel: 03-3668-0489 [大阪営業部]Tel: 06-6228-1155
・キロ~トンスケールの量をご入用の場合は,「大量製造見積依頼」ボタンをクリックし専用フォームでお問い合わせください。一部の製品についてはご希望に添えない場合もございますので,予めご了承ください。
・弊社では常に保管条件を最適化するための見直しを行っています。最新の製品保管条件はホームページ上に記載されたものとなりますので,ご了承ください。


Note:


この製品は,ペンタセン (昇華精製品)(製品コード:P0030)の代替品です。
詳しくは,FET評価の詳細ページあるいは,本ページ下部にある「利用例」のタブリーフレットをご覧ください。

この製品を使った有機トランジスタ(OFET)素子における半導体において,
ホール移動度(μFET):0.35 cm2/Vs以上 (Si/SiO2 bare基板)であることを確認しています。
<特性評価条件>
●素子構造:トップコンタクト型素子
 [Sin++ / SiO2 (200 nm) / P2524 (60 nm) / Au (60 nm)]
●基板表面処理:無
●素子作製法:蒸着法
  (Channel L = 50 μm , W = 1.5 mm)
●測定条件:窒素雰囲気下
●移動度(μFET):飽和電流領域にて次式より算出
  ID = (WCi /2L)μFET(VG - VTh)2

P2524とP0030の違いは以下のようになります。
製品コードP2524(本製品):Pentacene (99.999%, trace metals basis) (purified by sublimation)
<規格値>

金属不純物合計10.0 ppm以下
ホール移動度(μFET)0.35 cm2/Vs以上(bare Si/SiO2 substrate)

製品コードP0030:Pentacene (purified by sublimation)
<規格値>
TOF-MS試験適合

製品コード P2524
分子式・分子量 C__2__2H__1__4 = 278.35  
物理的状態(20℃) 固体
不活性ガス充填 不活性ガス充填
避けるべき条件 光,空気
CAS RN 135-48-8
Reaxys Registry Number 1912418
PubChem Substance ID 354334289
SDBS(産業技術総合研究所スペクトルDB) 11257
Merck Index(14) 7107
MDL番号

MFCD00003710

規格表
外観 灰色~濃い紫色~黒色粉末~結晶
金属不純物合計 10.0 ppm以下
ホール移動度(μFET) 0.35 cm2/Vs以上(bare Si/SiO2 substrate)
物性値(参考値)
極大吸収波長 577(Toluene) nm
水への溶解性 不溶
HOMO準位 -4.9 eV
GHS
法規情報
輸送情報
利用例
有機電界効果トランジスタ(OFET)

n-Octyltrichlorosilane (OTS)[O0168]を用いて基板表面に自己組織化単分子膜 (Self-Assembled Monolayer: SAM)を修飾し、得られた基板からPentacene [P2524]のトランジスタ素子作製及び特性評価を行ったところ、大幅なFET特性の向上が観測されました(図1)。
<OFET特性(自社装置使用)> Tsub: rt, Hole Mobility:1.05 - 1.52 (cm2/Vs), VTH: -5.7(V), on/off ratio: 1.5 × 107

bare基板のXRD解析において、ペンタセン分子のface-on配向に帰属可能なピーク(黒矢印)が観測されました (図2)。これが電荷輸送の大きな障壁となり、移動度の低下を起こしたと考えられます(図3a)。それに対し、OTS処理した素子ではそのようなピークは観測されませんでした(図2)。したがって、OTS処理した素子では理想的な薄膜相が形成され、結果FET性能の大幅な向上に繋がったと考えられます(図3b)

本研究の薄膜X線構造解析 (XRD: SmartLab) は,文部科学省委託事業ナノテクノロジープラットフォームに参画する東京大学微細構造解析プラットフォームの支援を受けて実施されました。


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