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Pentacene (99.999%, trace metals basis) (purified by sublimation)
(CAS RN:135-48-8 製品コード:P2524)

構造式

Pentacene
和名 ペンタセン (99.999%, trace metals basis) (昇華精製品)

基本情報

製品コード P2524

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 本社営業部 Tel: 03-3668-0489 E-mail: Sales-JP@TCIchemicals.com
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・弊社では,常に保管条件を最適化するための見直しを行っています。最新の製品保管条件はホームページ上に記載されたものとなりますので,ご了承ください。

純度/試験方法
等級
保管温度
分子式・分子量 C22H14=278.35
CAS RN 135-48-8
関連CAS RN
MDL番号 MFCD00003710
容器

製品説明


この製品は,ペンタセン (昇華精製品)(製品コード:P0030)の代替品です。
詳しくは,FET評価の詳細ページあるいは,本ページ下部にある「利用例」のタブリーフレットをご覧ください。

この製品を使った有機トランジスタ(OFET)素子における半導体において,
ホール移動度(μFET):0.35 cm2/Vs以上 (Si/SiO2 bare基板)であることを確認しています。
<特性評価条件>
●素子構造:トップコンタクト型素子
 [Sin++ / SiO2 (200 nm) / P2524 (60 nm) / Au (60 nm)]
●基板表面処理:無
●素子作製法:蒸着法
  (Channel L = 50 μm , W = 1.5 mm)
●測定条件:窒素雰囲気下
●移動度(μFET):飽和電流領域にて次式より算出
  ID = (WCi /2L)μFET(VG - VTh)2

P2524とP0030の違いは以下のようになります。
製品コードP2524(本製品):Pentacene (99.999%, trace metals basis) (purified by sublimation)
<規格値>
金属不純物合計10.0 ppm以下
ホール移動度(μFET)0.35 cm2/Vs以上(bare Si/SiO2 substrate)

製品コードP0030:Pentacene (purified by sublimation)
<規格値>
TOF-MS試験適合
  • 製品詳細情報
  • 法規情報
  • 利用例

規格値

金属不純物合計 10.0 ppm以下
ホール移動度(μFET) 0.35 cm2/Vs以上(bare Si/SiO2 substrate)

参考値

λmax 577(Toluene)(lit.)

リファレンス

Beilstein 5(3)2551
Reaxys-RN 1912418
PubChem SID 354334289
Merck Index(14) 7107

利用例

有機電界効果トランジスタ(OFET)

n-Octyltrichlorosilane (OTS)[O0168]を用いて基板表面に自己組織化単分子膜 (Self-Assembled Monolayer: SAM)を修飾し、得られた基板からPentacene [P2524]のトランジスタ素子作製及び特性評価を行ったところ、大幅なFET特性の向上が観測されました(図1)。
<OFET特性(自社装置使用)> Tsub: rt, Hole Mobility:1.05 - 1.52 (cm2/Vs), VTH: -5.7(V), on/off ratio: 1.5 × 107

bare基板のXRD解析において、ペンタセン分子のface-on配向に帰属可能なピーク(黒矢印)が観測されました (図2)。これが電荷輸送の大きな障壁となり、移動度の低下を起こしたと考えられます(図3a)。それに対し、OTS処理した素子ではそのようなピークは観測されませんでした(図2)。したがって、OTS処理した素子では理想的な薄膜相が形成され、結果FET性能の大幅な向上に繋がったと考えられます(図3b)

本研究の薄膜X線構造解析 (XRD: SmartLab) は,文部科学省委託事業ナノテクノロジープラットフォームに参画する東京大学微細構造解析プラットフォームの支援を受けて実施されました。

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