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有機トランジスタ(OFET)素子作製および評価:P3HT

P3HT [P2513]

Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (regioregular)
P3HT
CAS RN: 125321-66-6
製品コード: P2513

P3HT [P2513]のOFET素子性能評価

P3HT [P2513] を用いたデバイス作製法・構造



表. P3HT [P2513]を用いたOFET素子特性

Entry Fabrication Method Device Configuration SAM Treatment Annealing Temp.a (°C) Polarity μ (cm2 V−1 s−1) Vth (V) Ion/Ioff
Entry1 Fabrication MethodSpin-coating Device ConfigurationTCBG SAM TreatmentOTS Annealing Temp.a (°C)100 Polarityp μ (cm2 V−1 s−1)0.12 Vth (V)9.9 Ion/Ioff103
aPost-annealing temperature.

図. 伝達特性(飽和領域)

図.伝達特性(飽和領域)


実験詳細

P3HT [P2513]を用いたOFET素子の作製および評価

<基板>
  • OTS処理 Si/SiO2 (SiO2膜厚:300 nm)

<自己組織化単分子膜(SAM) 処理>
  • n-Octyltrichlorosilane (OTS) [O0168]
    1. エッチング処理 (H2SO4:H2O2=4:1, 80ºC, 2時間)
    2. 超音波洗浄 (イオン交換水, アセトン, IPA, 各10分間)
    3. 蒸気洗浄 (IPA, 3分間)
    4. UV/O3 処理 (1時間)
    5. 浸漬処理OTS溶液 (0.01 M トルエン, 16時間, N2)
    6. 超音波洗浄 (トルエン, アセトン, IPA, 各10分間)

<スピンコーティング>
  • P3HT (regioregular) [P2513] 溶液調整: 10 mg/ml,トリクロロベンゼン:クロロホルム(2:98)混合溶媒
  • スピンコート条件: 1500RPM, 60sec, N2

<真空蒸着>
  • Auの蒸着レート: 0.2 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)

<ポストアニーリング>
  • アニール条件: 100ºC, 30min, N2

<素子構造>
  • [n+-Si/SiO2 (300 nm) / P3HT (regioregular) [P2513] (100 nm) / Au (40 nm)]
  • トップコンタクト・ボトムゲート型 (TCBG)
  • チャンネル長: 50 μm
  • チャンネル幅: 1.5 mm

<測定環境>
  • 窒素雰囲気下
  • 電界効果移動度 (μ) は伝達特性の飽和領域にて下記式により算出
    ID = (W/2L) μ Ci (VGVth)2
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