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有機トランジスタ(OFET)素子作製および評価:P3HT
Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (regioregular)
P3HT
CAS RN: 125321-66-6
製品コード: P2513
P3HT [P2513]のOFET素子性能評価
表. P3HT [P2513]を用いたOFET素子特性
Entry | Fabrication Method | Device Configuration | SAM Treatment | Annealing Temp.a (°C) | Polarity | μ (cm2 V−1 s−1) | Vth (V) | Ion/Ioff |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Entry1 | Fabrication MethodSpin-coating | Device ConfigurationTCBG | SAM TreatmentOTS | Annealing Temp.a (°C)100 | Polarityp | μ (cm2 V−1 s−1)0.12 | Vth (V)9.9 | Ion/Ioff103 |

図.伝達特性(飽和領域)
実験詳細
P3HT [P2513]を用いたOFET素子の作製および評価
<基板>
<自己組織化単分子膜(SAM) 処理>
<スピンコーティング>
<真空蒸着>
<ポストアニーリング>
<素子構造>
<測定環境>
<基板>
- OTS処理 Si/SiO2 (SiO2膜厚:300 nm)
<自己組織化単分子膜(SAM) 処理>
- n-Octyltrichlorosilane (OTS) [O0168]
- エッチング処理 (H2SO4:H2O2=4:1, 80ºC, 2時間)
- 超音波洗浄 (イオン交換水, アセトン, IPA, 各10分間)
- 蒸気洗浄 (IPA, 3分間)
- UV/O3 処理 (1時間)
- 浸漬処理OTS溶液 (0.01 M トルエン, 16時間, N2)
- 超音波洗浄 (トルエン, アセトン, IPA, 各10分間)
<スピンコーティング>
- P3HT (regioregular) [P2513] 溶液調整: 10 mg/ml,トリクロロベンゼン:クロロホルム(2:98)混合溶媒
- スピンコート条件: 1500RPM, 60sec, N2
<真空蒸着>
- Auの蒸着レート: 0.2 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)
<ポストアニーリング>
- アニール条件: 100ºC, 30min, N2
<素子構造>
- [n+-Si/SiO2 (300 nm) / P3HT (regioregular) [P2513] (100 nm) / Au (40 nm)]
- トップコンタクト・ボトムゲート型 (TCBG)
- チャンネル長: 50 μm
- チャンネル幅: 1.5 mm
<測定環境>
- 窒素雰囲気下
- 電界効果移動度 (μ) は伝達特性の飽和領域にて下記式により算出
ID = (W/2L) μ Ci (VG − Vth)2